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NTP65N02RG

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Mouser N.º:

863-NTP65N02RG

Fabricante N.º:

NTP65N02RG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24V 65A N-Channel

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

NTP65N02RG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	24 V
Id - Corriente de drenaje continua:	65 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	62.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	27 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	53 ns
Serie:	NTX60N02R
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	14 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns
Peso de la unidad:	2 g

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Atributos seleccionados: 0

                        
This part is discontinued with no replacement. It will
no longer be available once stock is depleted.

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5-9999-2