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NVMFD5C680NLWFT1G

Name: onsemi NVMFD5C680NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFD5C680NLWFT
Price: 2.6 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVMFD5C680NLWFT

Fabricante N.º:

NVMFD5C680NLWFT1G

Fabricante:

onsemi

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8FL-Dual-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	26 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	23 mOhms, 23 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	19 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	US
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	23 ns, 23 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	50 S, 50 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	25 ns, 25 ns
Serie:	NVMFD5C680NL
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	13 ns, 13 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6.4 ns, 6.4 ns
Peso de la unidad:	161.193 mg