Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

NVMFS4C302NWFT1G

Name: onsemi NVMFS4C302NWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS4C302NWFT1G
Price: 3.72 USD
Availability: Discontinued

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-NVMFS4C302NWFT1G

Fabricante N.º:

NVMFS4C302NWFT1G

Fabricante:

onsemi

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Existencias:: No en existencias

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$3.72	$3.72
	$2.44	$24.40
	$1.71	$171.00
	$1.50	$750.00
	$1.45	$1,450.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$1.40	$2,100.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8FL
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	241 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.15 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.3 V
Qg - Carga de puerta:	82 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	115 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	JP
País de origen:	US
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	135 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	18 ns
Serie:	NVMFS4C302N
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	54 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns
Peso de la unidad:	187 mg