Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

NVMFS5C426NWFAFT1G-TK

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-S5C426NWFAFT1GTK

Fabricante N.º:

NVMFS5C426NWFAFT1G-TK

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

Ciclo de vida:

Pedido especial de fábrica:

Obtenga una cotización para verificar el precio actual, plazo de entrega y requisitos para realizar pedidos del fabricante.

Hoja de datos:

NVMFS5C426NWFAFT1G-TK Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi NVMFS5C426NWFAFT1G-TK

Disponibilidad

Existencias:: No disponible

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

Precio (USD)

Solicitar presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFNW-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	235 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	65 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	128 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	JP
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	9 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	47 ns
Serie:	NVMFS5C426N
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	36 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NVMFS5C426NWFAFT1G-TK Hoja de datos (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-07-03 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.