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NVMFS6D1N08HT1G

Name: onsemi NVMFS6D1N08HT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS6D1N08HT1G
Price: 2.18 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVMFS6D1N08HT1G

Fabricante N.º:

NVMFS6D1N08HT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI

Hoja de datos:

NVMFS6D1N08HT1G Hoja de datos

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	$0.94	$94.00
	$0.747	$373.50
	$0.611	$611.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$0.566	$849.00
	$0.564	$5,076.00
24,000	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8FL-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	89 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	32 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	104 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	39 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	80 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	50 ns
Serie:	NVMFS6D1N08H
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	48 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	18 ns
Peso de la unidad:	750 mg

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Hoja de datos

NVMFS6D1N08HT1G Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Japón

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).