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NTHL041N60S5H

Name: onsemi NTHL041N60S5H
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL041N60S5H
Price: 9.73 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTHL041N60S5H

Fabricante N.º:

NTHL041N60S5H

Fabricante:

onsemi

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	57 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	41 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.3 V
Qg - Carga de puerta:	108 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	329 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	KR
País de origen:	CN
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NTHL041N60S5H
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors