BSH205G2VL

Nexperia
771-BSH205G2VL
BSH205G2VL

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 2.3A

Modelo ECAD:
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Precio ext.
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$0.163 $16.30
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$0.097 $97.00
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$0.067 $670.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Nexperia
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1 Channel
20 V
2.3 A
170 mOhms
- 8 V, 8 V
950 mV
6.5 nC
- 55 C
+ 150 C
890 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Nexperia
Configuración: Single
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 10000
Subcategoría: Transistors
Alias de las piezas n.º: 934068496235
Peso de la unidad: 8 mg
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET

Nexperia BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode field-effect transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. The device employs Trench MOSFET technology and offers a low threshold voltage with very fast switching. The BSH205G2 MOSFET is ideal for applications like relay drivers, high-speed line drivers and switching circuits.