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FDMS86163P

Name: onsemi FDMS86163P
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86163P
Price: 4.13 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

512-FDMS86163P

Fabricante N.º:

FDMS86163P

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PT5 100/25V Pch Power Trench MOSFET

Hoja de datos:

FDMS86163P Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$4.13	$4.13
	$2.71	$27.10
	$1.90	$190.00
	$1.58	$790.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$1.49	$4,470.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	Power-56-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	50 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	22 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.8 V
Qg - Carga de puerta:	42 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	104 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6.9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	29 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8.8 ns
Serie:	FDMS86163P
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	33 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17 ns
Peso de la unidad:	68.100 mg

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Hoja de datos

FDMS86163P Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Mid-Voltage P-Channel MOSFETs

onsemi Mid-Voltage P-Channel MOSFETs are 100V and 150V P-Channel MOSFETs that offer the best in class R_DS-ON and Q_g in the industry. Each of these devices is produced using PowerTrench® technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and optimized for superior switching performance. onsemi Mid-Voltage P-Channel MOSFETs are ideal for high side switching on motor drives and lighting, active clamp in DC-DC, and load switching.