IPT030N12N3GATMA1

Infineon Technologies
726-IPT030N12N3GATM1
IPT030N12N3GATMA1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 1,934

Existencias:
1,934 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
8 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$7.45 $7.45
$4.98 $49.80
$4.00 $400.00
$3.56 $1,780.00
$3.16 $3,160.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
$3.16 $6,320.00
4,000 Presupuesto
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
120 V
237 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
158 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Infineon Technologies
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 2000
Subcategoría: Transistors
Alias de las piezas n.º: IPT030N12N3 G SP005348026
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Austria
País de origen del ensamblaje:
Malasia
País de difusión:
Austria
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

MOSFET de canal N OptiMOS™ 3

Los MOSFET de canal N OptiMOS™ 3 de Infineon Technologies cuentan con un bajo nivel de resistencia en estado conductor en un paquete SuperSO8 libre de plomo. Los MOSFET OptiMOS 3 aumentan la densidad de potencia en hasta un 50 % en los sectores industriales, de consumo y telecomunicaciones. OptiMOS™ 3 está disponible en MOSFET de canal N de 40 V, 60 V y 80 V en paquetes SuperSO8 y Shrink SuperSO8 (S3O8). Con respecto a los paquetes estándar Transistor Outline (TO), los SuperSO8 aumentan la densidad de potencia hasta un 50 %.