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NTMYS013N08LHTWG

Name: onsemi NTMYS013N08LHTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMYS013N08LHTWG
Price: 3.14 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMYS013N08LHTWG

Fabricante N.º:

NTMYS013N08LHTWG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK

Hoja de datos:

NTMYS013N08LHTWG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$3.14	$3.14
	$2.81	$28.10
	$2.08	$208.00
	$1.70	$850.00
	$1.57	$1,570.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.983	$2,949.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	42 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	17 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	17 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	53 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	SIngle
Tiempo de caída:	6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	55 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	53 ns
Serie:	NTMYS013N08HL
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	18 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	29 ns

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Hoja de datos

NTMYS013N08LHTWG Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: Filipinas
País de difusión:: Japón

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.