NTTFSSCH0D7N02X

onsemi
863-NTTFSSCH0D7N02X
NTTFSSCH0D7N02X

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 25V PC33 SOURCE DOWN

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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En existencias: 4,158

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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Est. Tarifa:

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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
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$0.99 $495.00
$0.942 $942.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
$0.80 $4,000.00
$0.779 $7,790.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WDFN-9
N-Channel
1 Channel
25 V
310 A
580 uOhms
- 12 V, 16 V
2 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
87 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 57 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 190 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 6 ns
Serie: NTTFSSCH0D7N02X
Cantidad de empaque de fábrica: 5000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 26 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 4 ns
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low RDS(ON), low QG, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.