Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

RQ7P035ATTCR

Name: ROHM Semiconductor RQ7P035ATTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ7P035ATTCR
Price: 0.89 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

755-RQ7P035ATTCR

Fabricante N.º:

RQ7P035ATTCR

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -100V -3.5A Power MOSFET

Hoja de datos:

RQ7P035ATTCR Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre ROHM Semiconductor RQ7P035ATTCR

En existencias: 2,923

Existencias:: 2,923 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$0.89	$0.89
	$0.78	$7.80
	$0.535	$53.50
	$0.469	$234.50
	$0.427	$427.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.373	$1,119.00
	$0.346	$2,076.00
	$0.33	$2,970.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSMT-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	111 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	40 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	90 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	6.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	12 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	190 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RQ7 Pch Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RQ7 Pch Power MOSFETs feature low on-resistance and are housed in a small TSMT8 surface-mount package. ROHM offers a wide voltage lineup from small signal products to 800V high voltage products. They can be used for various applications like power supplies and motor drive circuits.