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SISF02DN-T1-GE3

Name: Vishay SISF02DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SISF02DN-T1-GE3
Price: 2.25 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SISF02DN-T1-GE3

Fabricante N.º:

SISF02DN-T1-GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 2NCH 25V 30.5A

Hoja de datos:

SISF02DN-T1-GE3 Hoja de datos

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	$0.711	$711.00
Envase tipo caja "Ammo Pack" completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.652	$1,956.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-1212-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.15 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.1 V
Qg - Carga de puerta:	51 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	52 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerPAK
Empaquetado:	Ammo Pack
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	105 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	17 ns
Serie:	SISF
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	25 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	24 ns
Peso de la unidad:	1 g

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.