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SP8M3HZGTB

Name: ROHM Semiconductor SP8M3HZGTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SP8M3HZGTB
Price: 2.1 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

755-SP8M3HZGTB

Fabricante N.º:

SP8M3HZGTB

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

Hoja de datos:

SP8M3HZGTB Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.10	$2.10
	$1.35	$13.50
	$0.911	$91.10
	$0.725	$362.50
	$0.676	$676.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$0.60	$1,500.00
	$0.562	$2,810.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel, P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	5 A, 4.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	51 mOhms, 56 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V, 2.5 V
Qg - Carga de puerta:	3.9 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	5 ns, 25 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	3 S, 3.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8 ns, 25 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	22 ns, 60 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6 ns, 10 ns
Alias de las piezas n.º:	SP8M3HZG

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Atributos seleccionados: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Hoja de datos

SP8M3HZGTB Hoja de datos (PDF)

Specification Sheets

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SP8M Power MOSFETs

ROHM Semiconductor SP8M Power MOSFETs are low on-resistance devices housed in a small surface-mount package (SOP8). The SP8M features Pb-free plating and is RoHS compliant. The MOSFETs are also halogen-free, have Sn100% plating, and are AEC-Q101 qualified.