TK170V65Z,LQ
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757-TK170V65ZLQ
TK170V65Z,LQ
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI
Hoja de datos:
En existencias: 4,720
-
Existencias:
-
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Plazo de entrega de fábrica:
-
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 4720 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| Cinta cortada / MouseReel™ † | ||
| $4.69 | $4.69 | |
| $3.17 | $31.70 | |
| $2.58 | $258.00 | |
| $2.51 | $1,255.00 | |
| $2.28 | $2,280.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500) | ||
| $1.98 | $4,950.00 | |
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.
↩
Hoja de datos
Application Notes
- Basics of Diodes (Absolute Maximum Ratings and Electrical Characteristics)
- Basics of Diodes (Power Losses and Thermal Design)
- Basics of Diodes (Types and Overview of Diodes)
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors Maximum Ratings
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Surface Mount Small Signal Transistor (BJT) Precautions for use
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
