TPH3R008QM,LQ

Toshiba
757-TPH3R008QMLQ
TPH3R008QM,LQ

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 3mohm

Ciclo de vida:
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En existencias: 10,000

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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$2.20 $2.20
$1.40 $14.00
$0.975 $97.50
$0.826 $413.00
$0.69 $690.00
$0.637 $1,592.50
$0.603 $3,015.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
1 Channel
80 V
170 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
71 nC
+ 175 C
180 W
Enhancement
Reel
Marca: Toshiba
Configuración: Single
Tiempo de caída: 26 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 21 ns
Serie: UMOS9-H
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 85 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 42 ns
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Atributos seleccionados: 0

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

UMOS9-H Silicon N-channel MOSFETs

Toshiba UMOS9-H Silicon N-channel MOSFETs are ideal for high-efficiency DC-to-DC converters, switching voltage regulators, and motor drivers. These MOSFETs boast a small gate charge, a small output charge, low drain-source on-resistance, and low leakage current. The UMOS9-H N-channel MOSFETs feature 80V drain-source voltage, ±20V gate-source voltage, and 175°C channel temperature. These MOSFETs also feature ±0.1µA gate leakage current, 10µA drain cut-off current, and a -55°C to 175°C storage temperature range. The UMOS9-H N-channel MOSFETs are RoHS-compliant and come in a 0.108g 2-5W1A (SOP Advance (N)) package.