TPH8R808QM,LQ
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757-TPH8R808QMLQ
TPH8R808QM,LQ
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 8.8mohm
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 8.8mohm
Ciclo de vida:
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Hoja de datos:
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Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $1.27 | $1.27 | |
| $0.799 | $7.99 | |
| $0.526 | $52.60 | |
| $0.417 | $208.50 | |
| $0.371 | $371.00 | |
| $0.339 | $847.50 | |
| $0.304 | $1,520.00 | |
| $0.285 | $2,850.00 |
Hoja de datos
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Drive Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
Guatemala
