XPH1R104PS,L1XHQ

Toshiba
757-XPH1R104PSL1XHQ
XPH1R104PS,L1XHQ

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 1.1 mohm

Ciclo de vida:
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Cantidad Precio unitario
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$0.827 $413.50
$0.703 $703.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
$0.597 $2,985.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
40 V
120 A
1.96 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
55 nC
+ 175 C
132 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: Toshiba
Configuración: Dual
Tiempo de caída: 23 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 8 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 5000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 71 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 22 ns
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

UMOS9-H Silicon N-channel MOSFETs

Toshiba UMOS9-H Silicon N-channel MOSFETs are ideal for high-efficiency DC-to-DC converters, switching voltage regulators, and motor drivers. These MOSFETs boast a small gate charge, a small output charge, low drain-source on-resistance, and low leakage current. The UMOS9-H N-channel MOSFETs feature 80V drain-source voltage, ±20V gate-source voltage, and 175°C channel temperature. These MOSFETs also feature ±0.1µA gate leakage current, 10µA drain cut-off current, and a -55°C to 175°C storage temperature range. The UMOS9-H N-channel MOSFETs are RoHS-compliant and come in a 0.108g 2-5W1A (SOP Advance (N)) package.