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ZXMN3F31DN8TA

Name: Diodes Incorporated ZXMN3F31DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 522-ZXMN3F31DN8TA
Price: 1.3 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

522-ZXMN3F31DN8TA

Fabricante N.º:

ZXMN3F31DN8TA

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual N-channel Enhance. Mode MOSFET

Hoja de datos:

ZXMN3F31DN8TA Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.30	$1.30
	$0.807	$8.07
	$0.534	$53.40
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 500)
	$0.407	$203.50
	$0.351	$351.00
	$0.33	$825.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	7.3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	24 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	12.9 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.1 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3.3 ns
Serie:	ZXMN3
Cantidad de empaque de fábrica:	500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	16 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	2.9 ns
Peso de la unidad:	750 mg

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Hoja de datos

ZXMN3F31DN8TA Hoja de datos (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

ZXMN Enhancement Mode MOSFETs

The Diodes Inc. ZXMN Enhancement Mode MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs featuring low on-resistance, fast switching, and high avalanche withstand capability. The Diodes Inc. ZXMN MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications, including SLIC line drivers for VoIP applications, transformer driving switch, motor control, uninterrupted power supply, and more.

ZXMN2x & ZXMN3x MOSFETs

Diodes Incorporated ZXMN2x and ZXMN3x MOSFETs are offered in compact S0-8 and SOT23 packages. These MOSFETs are ideal for a range of space-starved switching and power management applications. The Diodes Inc. ZXMN2x and ZXMN3x MOSFETs are designed for external switches in buck/boost PoL converters, in which PCB footprint, thermal performance, and low threshold voltage are highly important.