|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
- IRFS7534TRLPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$3.50
-
1,248En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7534TRLPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
|
|
1,248En existencias
|
|
|
$3.50
|
|
|
$2.29
|
|
|
$1.60
|
|
|
$1.30
|
|
|
$1.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Controladores de puertas 100V Half Bridge IPM
- IRSM005-301MHTR
- Infineon Technologies
-
1:
$3.06
-
2,776En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRSM005-301MHTR
|
Infineon Technologies
|
Controladores de puertas 100V Half Bridge IPM
|
|
2,776En existencias
|
|
|
$3.06
|
|
|
$2.29
|
|
|
$2.10
|
|
|
$1.89
|
|
|
$1.63
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.79
|
|
|
$1.73
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.60
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 10A 500V Half Bridge IPM 200W
- IRSM808-105MH
- Infineon Technologies
-
1:
$6.57
-
4,646En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRSM808-105MH
|
Infineon Technologies
|
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 10A 500V Half Bridge IPM 200W
|
|
4,646En existencias
|
|
|
$6.57
|
|
|
$4.48
|
|
|
$4.44
|
|
|
$4.12
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.00
|
|
|
$2.77
|
|
|
$2.72
|
|
|
$2.63
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
- 2EDL05I06PF
- Infineon Technologies
-
1:
$2.03
-
2,290En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-2EDL05I06PF
|
Infineon Technologies
|
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
|
|
2,290En existencias
|
|
|
$2.03
|
|
|
$1.30
|
|
|
$1.16
|
|
|
$0.949
|
|
|
$0.601
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.828
|
|
|
$0.784
|
|
|
$0.659
|
|
|
$0.546
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación PROFET
- BTG70901EPLXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.12
-
1,979En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BTG70901EPLXUMA1
|
Infineon Technologies
|
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación PROFET
|
|
1,979En existencias
|
|
|
$1.12
|
|
|
$0.813
|
|
|
$0.735
|
|
|
$0.649
|
|
|
$0.537
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.608
|
|
|
$0.583
|
|
|
$0.563
|
|
|
$0.516
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPD95R450PFD7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.76
-
958En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R450PFD7ATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
958En existencias
|
|
|
$2.76
|
|
|
$1.79
|
|
|
$1.23
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.936
|
|
|
$0.936
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPF050N10NF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.91
-
955En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPF050N10NF2SATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
955En existencias
|
|
|
$2.91
|
|
|
$1.45
|
|
|
$1.10
|
|
|
$1.01
|
|
|
$1.01
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
- IPTG039N15NM5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.32
-
2,482En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-TG039N15NM5ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
|
|
2,482En existencias
|
|
|
$6.32
|
|
|
$4.49
|
|
|
$3.30
|
|
|
$3.08
|
|
|
$3.08
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
NVRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 nvSRAM
- CY14B108M-ZSP45XI
- Infineon Technologies
-
1:
$66.62
-
55En existencias
-
216Se espera el 19/03/2026
|
N.º de artículo de Mouser
727-CY14B108MZSP45XI
|
Infineon Technologies
|
NVRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 nvSRAM
|
|
55En existencias
216Se espera el 19/03/2026
|
|
|
$66.62
|
|
|
$61.53
|
|
|
$59.53
|
|
|
$58.04
|
|
|
Ver
|
|
|
$52.93
|
|
|
$52.62
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Sensores de corriente montados en placa CURRENT SENS CONS & IND
- TLE4971A050N5UE0001XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.03
-
4,830En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-4971A050N5UE0001
|
Infineon Technologies
|
Sensores de corriente montados en placa CURRENT SENS CONS & IND
|
|
4,830En existencias
|
|
|
$4.03
|
|
|
$3.61
|
|
|
$3.45
|
|
|
$3.27
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.24
|
|
|
$3.14
|
|
|
$3.02
|
|
|
$2.78
|
|
|
$2.70
|
|
|
$2.24
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SPOC
- BTS710404ESPXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.98
-
2,231En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BTS710404ESPXUMA
|
Infineon Technologies
|
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SPOC
|
|
2,231En existencias
|
|
|
$2.98
|
|
|
$2.23
|
|
|
$2.04
|
|
|
$1.84
|
|
|
$1.51
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.74
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.62
|
|
|
$1.50
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición CIPOS MICRO
- IM241S6S1BAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.00
-
497En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IM241S6S1BAUMA1
|
Infineon Technologies
|
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición CIPOS MICRO
|
|
497En existencias
|
|
|
$6.00
|
|
|
$4.66
|
|
|
$4.31
|
|
|
$3.91
|
|
|
$3.25
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.73
|
|
|
$3.22
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPDQ60R040S7XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.72
-
750En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-PDQ60R040S7XTMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
750En existencias
|
|
|
$6.72
|
|
|
$4.79
|
|
|
$4.16
|
|
|
$4.06
|
|
|
$4.06
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP
- IPB60R199CPATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.19
-
1,963En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R199CPATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP
|
|
1,963En existencias
|
|
|
$4.19
|
|
|
$2.76
|
|
|
$1.95
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.65
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T
- IPD90N04S3-04
- Infineon Technologies
-
1:
$2.99
-
1,800En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S3-04
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T
|
|
1,800En existencias
|
|
|
$2.99
|
|
|
$2.91
|
|
|
$2.14
|
|
|
$1.79
|
|
|
$1.54
|
|
|
$1.04
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V
- IPP120N08S403AKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.67
-
1,309En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP120N08S403AKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V
|
|
1,309En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
- SPP11N80C3
- Infineon Technologies
-
1:
$3.64
-
3,993En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPP11N80C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
|
|
3,993En existencias
|
|
|
$3.64
|
|
|
$2.37
|
|
|
$1.86
|
|
|
$1.55
|
|
|
$1.35
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP
- IPB60R165CP
- Infineon Technologies
-
1:
$4.73
-
2,498En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R165CP
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP
|
|
2,498En existencias
|
|
|
$4.73
|
|
|
$3.13
|
|
|
$2.45
|
|
|
$2.18
|
|
|
$1.93
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
- IPW90R120C3XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$13.07
-
842En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW90R120C3XKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
|
|
842En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
- BSC118N10NS G
- Infineon Technologies
-
1:
$1.99
-
4,333En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC118N10NSG
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
|
|
4,333En existencias
|
|
|
$1.99
|
|
|
$1.26
|
|
|
$0.856
|
|
|
$0.679
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.594
|
|
|
$0.625
|
|
|
$0.594
|
|
|
$0.594
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL N-CH
- BSD316SNH6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.36
-
27,426En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSD316SNH6327XTS
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL N-CH
|
|
27,426En existencias
|
|
|
$0.36
|
|
|
$0.227
|
|
|
$0.143
|
|
|
$0.106
|
|
|
$0.076
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.094
|
|
|
$0.069
|
|
|
$0.057
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPD25CN10NGATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.74
-
15,387En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD25CN10NGATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
15,387En existencias
|
|
|
$1.74
|
|
|
$1.11
|
|
|
$0.741
|
|
|
$0.585
|
|
|
$0.534
|
|
|
$0.495
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD60R800CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.17
-
6,897En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R800CEAUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
6,897En existencias
|
|
|
$1.17
|
|
|
$0.728
|
|
|
$0.477
|
|
|
$0.373
|
|
|
$0.338
|
|
|
$0.278
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A I2PAK-3 CoolMOS C6
- IPI60R190C6
- Infineon Technologies
-
1:
$3.46
-
1,274En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPI60R190C6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A I2PAK-3 CoolMOS C6
|
|
1,274En existencias
|
|
|
$3.46
|
|
|
$1.75
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.33
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
- IRFB7540PBF
- Infineon Technologies
-
1:
$1.97
-
6,796En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7540PBF
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
|
|
6,796En existencias
|
|
|
$1.97
|
|
|
$0.95
|
|
|
$0.798
|
|
|
$0.676
|
|
|
$0.613
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|