|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
- IMZC120R007M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$37.56
-
187En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R007M2HXK
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
|
|
187En existencias
|
|
|
$37.56
|
|
|
$32.63
|
|
|
$28.26
|
|
|
$23.54
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Through Hole
|
PG-TO247-4-U07
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
201 A
|
20 mOhms
|
- 10 V, + 25 V
|
5.1 V
|
176 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
711 W
|
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
- IMBG75R040M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.88
-
140En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG75R040M2HXTM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
|
|
140En existencias
|
|
|
$8.88
|
|
|
$6.46
|
|
|
$5.38
|
|
|
$4.79
|
|
|
$4.27
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
750 V
|
42 A
|
50 mOhms
|
- 7 V, 23 V
|
5.6 V
|
30 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
156 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
- AIMDQ75R040M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.04
-
66En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-AIMDQ75R040M2HXT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
|
|
66En existencias
|
|
|
$9.04
|
|
|
$6.73
|
|
|
$5.61
|
|
|
$4.92
|
|
|
$4.43
|
|
|
Ver
|
|
|
$4.42
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22
|
N-Channel
|
1 Channel
|
750 V
|
45 A
|
50 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
30 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
182 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
- IMBG75R025M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$12.32
-
133En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG75R025M2HXTM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
|
|
133En existencias
|
|
|
$12.32
|
|
|
$10.03
|
|
|
$8.36
|
|
|
$7.45
|
|
|
$6.32
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
750 V
|
64 A
|
31 mOhms
|
- 7 V, 23 V
|
5.6 V
|
49 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
234 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMDQ75R050M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.45
-
140En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ75R050M2HXTM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
140En existencias
|
|
|
$7.45
|
|
|
$5.26
|
|
|
$4.38
|
|
|
$3.85
|
|
|
$3.47
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.46
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22
|
N-Channel
|
1 Channel
|
750 V
|
36 A
|
65 mhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
24 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
148 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
- AIMDQ75R050M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.95
-
70En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-AIMDQ75R050M2HXT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
|
|
70En existencias
|
|
|
$7.95
|
|
|
$5.79
|
|
|
$4.82
|
|
|
$4.23
|
|
|
$3.81
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.80
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22
|
N-Channel
|
1 Channel
|
750 V
|
36 A
|
65 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
24 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
148 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
- AIMDQ75R033M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$11.01
-
28En existencias
-
750Se espera el 26/03/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-AIMDQ75R033M2HXT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
|
|
28En existencias
750Se espera el 26/03/2026
|
|
|
$11.01
|
|
|
$8.61
|
|
|
$7.18
|
|
|
$6.40
|
|
|
$5.43
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
HD-SOP-22
|
N-Channel
|
1 Channel
|
750 V
|
53 A
|
65.6 mOhms
|
- 7 V, 23 V
|
5.6 V
|
37 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
217 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
- IMBG75R033M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$10.58
-
118En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG75R033M2HXTM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
|
|
118En existencias
|
|
|
$10.58
|
|
|
$8.28
|
|
|
$6.90
|
|
|
$6.15
|
|
|
$5.22
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
750 V
|
50 A
|
41.3 mOhms
|
- 7 V, 23 V
|
5.6 V
|
37 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
189 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
- IMBG75R060M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.26
-
140En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG75R060M2HXTM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
|
|
140En existencias
|
|
|
$7.26
|
|
|
$5.42
|
|
|
$4.38
|
|
|
$3.89
|
|
|
$3.33
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
750 V
|
29 A
|
78 mOhms
|
- 7 V, 23 V
|
5.6 V
|
20 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
116 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMDQ75R040M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.41
-
140En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ75R040M2HXTM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
140En existencias
|
|
|
$8.41
|
|
|
$6.12
|
|
|
$5.10
|
|
|
$4.47
|
|
|
$4.03
|
|
|
Ver
|
|
|
$4.02
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22
|
N-Channel
|
1 Channel
|
750 V
|
45 A
|
50 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
30 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
182 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
- IMBG75R050M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.94
-
138En existencias
-
1,000Se espera el 23/02/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG75R050M2HXTM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
|
|
138En existencias
1,000Se espera el 23/02/2026
|
|
|
$7.94
|
|
|
$5.61
|
|
|
$4.67
|
|
|
$4.16
|
|
|
$3.71
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
750 V
|
34 A
|
65 mOhms
|
- 7 V, 23 V
|
5.6 V
|
24 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
135 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMDQ75R033M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$10.02
-
119En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ75R033M2HXTM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
119En existencias
|
|
|
$10.02
|
|
|
$7.84
|
|
|
$6.53
|
|
|
$5.73
|
|
|
$5.17
|
|
|
Ver
|
|
|
$5.16
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22
|
N-Channel
|
1 Channel
|
750 V
|
53 A
|
41.3 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
37 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
217 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMDQ65R010M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$20.61
-
1,165En existencias
-
1,500En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ65R010M2HXUM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,165En existencias
1,500En pedido
Existencias:
1,165 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
750 Se espera el 19/02/2026
750 Se espera el 26/02/2026
Plazo de entrega de fábrica:
22 Semanas
|
|
|
$20.61
|
|
|
$17.58
|
|
|
$15.21
|
|
|
$15.19
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
HDSOP-22
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
154 A
|
13.1 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
113 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
651 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
- AIMW120R060M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$24.32
-
799En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-W120R060M1HXKSA1
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
|
|
799En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
36 A
|
60 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.7 V
|
31 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
150 mW
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R057M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.96
-
3,980En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R057M1HXTM
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
3,980En existencias
|
|
|
$7.96
|
|
|
$5.41
|
|
|
$4.17
|
|
|
$4.16
|
|
|
$3.40
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
39 A
|
74 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
28 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
161 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
- AIMW120R080M1XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$13.04
-
192En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-W120R080M1XKSA1
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
|
|
192En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
33 A
|
80 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.7 V
|
28 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
150 mW
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
- AIMBG120R080M1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.57
-
1,356En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-AIMBG120R080M1X1
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
|
|
1,356En existencias
|
|
|
$8.57
|
|
|
$5.89
|
|
|
$4.64
|
|
|
$4.63
|
|
|
$3.93
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.78
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
27 A
|
80 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
4.5 V
|
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
714 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
- AIMW120R045M1XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$18.49
-
837En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-AIMW120R045M1XKS
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
|
|
837En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
52 A
|
59 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.7 V
|
57 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
228 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R260M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.30
-
865En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R260M1HXTM
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
865En existencias
|
|
|
$4.30
|
|
|
$2.84
|
|
|
$2.00
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.49
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
6 A
|
346 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
22 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
65 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R163M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.98
-
739En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R163M1HXTM
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
739En existencias
|
|
|
$4.98
|
|
|
$3.20
|
|
|
$2.36
|
|
|
$2.23
|
|
|
$1.81
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
17 A
|
217 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
27 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
85 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBG120R045M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$11.42
-
651En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R045M1HXT
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
651En existencias
|
|
|
$11.42
|
|
|
$8.68
|
|
|
$7.51
|
|
|
$6.90
|
|
|
$5.89
|
|
|
$5.79
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
47 A
|
45 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
46 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
227 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R022M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$15.00
-
783En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R022M1HXTM
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
783En existencias
|
|
|
$15.00
|
|
|
$10.56
|
|
|
$9.55
|
|
|
$9.54
|
|
|
$8.18
|
|
|
Ver
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
64 A
|
30 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
67 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
300 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBG120R090M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.87
-
1,148En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R090M1HXT
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
1,148En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
26 A
|
125 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
23 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
136 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBG120R060M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.09
-
345En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R060M1HXT
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
345En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
36 A
|
83 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
181 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R107M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.83
-
753En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R107M1HXTM
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
753En existencias
|
|
|
$5.83
|
|
|
$3.36
|
|
|
$3.01
|
|
|
$3.00
|
|
|
$2.44
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
24 A
|
141 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
35 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
110 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|