Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive N-Channel MOSFETs

onsemi Automotive N-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified power MOSFETs that are optimized for use in automotive applications. They feature UIS capability and are ROHS compliant. Typical applications for onsemi Automotive N-Channel MOSFETs include automotive engine control, PowerTrain management, solenoid, motor drive, and a primary switch for 12V systems.

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Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

FDBL86363-F085
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Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 100A, 2.6mO, DPAK
N-Channel PowerTrench

FDD86567-F085
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$2.19

$1.52

$1.23

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Enhancement

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PowerTrench

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

FDBL86366-F085
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Enhancement

AEC-Q101

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D2PAK-2

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110 A

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FDBL86210-F085
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$3.50

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Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

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FDBL86561-F085
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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab

FDD13AN06A0-F085
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FDD86367-F085
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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

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- 20 V, 20 V

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68 nC

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Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench

FDD86369-F085
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FDD86369-F085

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512-FDD86369_F085

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$0.764

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$0.70

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

17.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel Power Trench MOSFET

FDD9409-F085
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1: $2.44
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NRND

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FDD9409-F085

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512-FDD9409_F085

NRND

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Cinta cortada

$2.44

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$1.09

$0.897

$0.87

Envase tipo carrete

$0.832

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

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- 20 V, 20 V

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AEC-Q101

PowerTrench

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A

FDN5632N-F085
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10,057En existencias
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FDN5632N-F085

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NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A

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159,000En pedido

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$1.11

$0.696

$0.455

$0.352

Envase tipo carrete

$0.257

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Mult.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SSOT-3

N-Channel

1 Channel

60 V

1.6 A

98 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

1.1 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 4.3A

FDC5661N-F085
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N.º de artículo del Fabricante
FDC5661N-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDC5661N-F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 4.3A

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1,113En existencias

24,000En pedido

Cinta cortada

$0.99

$0.618

$0.402

$0.309

$0.252

Envase tipo carrete

$0.224

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Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SSOT-6

N-Channel

1 Channel

60 V

4.3 A

47 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

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