Soluciones automotrices

Las soluciones automotrices de Toshiba ofrecen varios dispositivos semiconductores automotrices que están diseñados para mejorar la seguridad de la conducción. Esto incluye sistemas avanzados de conducción asistida (ADAS) que utilizan un procesador de reconocimiento de imágenes. Toshiba ofrece tecnologías de semiconductores de vanguardia desde una perspectiva futura para ofrecer soluciones integrales de conducción asistida. Estas soluciones incluyen la autoconducción que emula los ojos humanos y otros sentidos humanos complejos.

Todos los resultados (46)

Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Toshiba Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type 162,435En existencias
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Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V 674,700En existencias
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Toshiba Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type 24,201En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK 1,560En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091 4,317En existencias
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Toshiba Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10 452En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK 3,703En existencias
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Toshiba Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100 1,735En existencias
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Toshiba Transceptor de RF 2.0 to 5.5V -117dBm Automotive; AEC-Q 1,988En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063 1,308En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1,682En existencias
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Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min 5,900En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS 81,416En existencias
51,000Se espera el 2/03/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V 67,064En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 47,737En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet 21,328En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET 40,855En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET 53,988En existencias
6,000Se espera el 13/02/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V 27,770En existencias
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Toshiba Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 1Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10 1,250En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218 5,662En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V 7,347En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V 829En existencias
6,000En pedido
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V 80En existencias
9,000Se espera el 13/02/2026
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Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current 30,839En existencias
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