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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 790 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.1 50 Ohm, 17 A MDmesh Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 179 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V .0308 Ohm 11A MDmesh V MOS Plazo de entrega 14 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 340 mOhms 85 W MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh M5 Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 96 A 19 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 350 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 60 Amp Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 266 nC - 65 C + 150 C 560 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 Ohm 6.5A MDmesh II PWR Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.5 A 630 mOhms MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 450 mOhms - 30 V, 30 V - 65 C + 150 C 160 W Enhancement Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 95 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 72 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6.5 A 1.05 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 600 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 15 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27ohms 13A Mdmesh Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 260 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 35 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube