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DMTH61M8LPS-13

Name: Diodes Incorporated DMTH61M8LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH61M8LPS-13
Price: 4.1 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-DMTH61M8LPS-13

Fabricante N.º:

DMTH61M8LPS-13

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

Hoja de datos:

DMTH61M8LPS-13 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Plazo de entrega de fábrica:: 40

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$4.10	$4.10
	$2.69	$26.90
	$1.61	$161.00
	$1.34	$670.00
	$1.32	$1,320.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$1.32	$3,300.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerDI5060-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	225 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	115.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	187.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Tiempo de caída:	51.7 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	23.9 ns
Serie:	DMTH61M8LPS
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	108.3 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10.3 ns
Peso de la unidad:	97 mg

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Hoja de datos

DMTH61M8LPS-13 Hoja de datos (PDF)

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

DMTH61M8LPS N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMTH61M8LPS N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (R_DS(ON)) yet maintain superior switching performance. Features include high conversion efficiency, low input capacitance, and fast switching speed. This N-channel MOSFET operates from -55°C to 175°C temperature range. The DMTH61M8LPS MOSFET is ideal for high efficiency power management applications like engine management systems, body control electronics, and DC-DC converters.