Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel OptiMOS™ 7 25V Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 25V Power MOSFETs deliver application-optimized performance, enabling peak performance for data centers, servers, AI, and more. The MOSFETs are available in hard-switching and soft-switching topologies. The hard-switching-optimized devices feature outstanding Miller ratios, FOMs, and R_DS(on). The MOSFETs optimized for soft switching offer ultra-low R_DS(on) and FOMQ_g.

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V

IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
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PG-WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

25 V

460 A

12 V

1.7 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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SMD/SMT

N-Channel

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25 V

430 A

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12 V

1.7 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

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1 Channel

25 V

348 A

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2 V

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130 W

Enhancement

OptiMOS

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298 A

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2 V

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150 W

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1 Channel

25 V

422 A

500 uOhms

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1.7 V

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

406 A

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2 V

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150 W

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IQEH68NE2LM7UCGATMA1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

338 A

680 uOhms

16 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
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N-Channel

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25 V

282 A

800 uOhms

16 V

2 V

17.2 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IQEH84NE2LM7UCGATMA1
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4,472En existencias
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IQEH84NE2LM7UCGATMA1

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275 A

840 uOhms

16 V

2 V

17.2 nC

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+ 175 C

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OptiMOS

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IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1
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440 A

460 uOhms

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