QPA2211D

Qorvo
772-QPA2211D
QPA2211D

Fabricante:

Descripción:
Amplificador de RF GaN Amplifier

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 10   Múltiples: 10
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$520.60 $5,206.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: Amplificador de RF
Restricciones de envío:
 Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:  
27.5 GHz to 31 GHz
22 V
280 mA
26 dB
Power Amplifiers
SMD/SMT
Die
GaN SiC
- 40 C
+ 85 C
QPA2211D
Gel Pack
Marca: Qorvo
Kit de desarrollo: QPA2211DEVB03
Pérdida de retorno de entrada: 12 dB
Número de canales: 1 Channel
Dp - Disipación de potencia : 40 W
Tipo de producto: RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica: 10
Subcategoría: Wireless & RF Integrated Circuits
Frecuencia de prueba: 31 GHz
Peso de la unidad: 2.140 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

USHTS:
8542330001
TARIC:
8542330000
ECCN:
3A001.b.2.c

QPA2210D & QPA2211D 27-31GHz GaN Power Amplifiers

Qorvo QPA2210D and QPA2211D GaN Ka-Band Power Amplifiers operate between a 27GHz and 31GHz frequency range to support satellite communications and 5G infrastructure. The amplifiers are fabricated on Qorvo's 0.15µm gallium nitride (GaN) on silicon carbide (SiC) process. The amplifiers are also fully matched to 50Ω with integrated DC blocking caps on both I/O ports. The amplifiers are 100% DC and RF tested on-wafer to ensure compliance with electrical specifications.