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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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NVMFS5C460NLAFT1G
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NVMFS5C466NLT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7 MOHM T8 S08FL SINGL

NVMFS5C466NLWFT1G
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NVMFS5C466NLWFT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C468NLAFT1G
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NVMFS5C468NLAFT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING

NVMFS5C468NT1G
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NVMFS5C468NT1G

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863-NVMFS5C468NT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SO8FL

NVMFS5C645NLAFT1G
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NVMFS5C645NLAFT1G

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863-NVMFS5C645NLFT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SO8FL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL

NVMFS5C646NLAFT1G
onsemi
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1,617En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C646NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C646NLFT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL

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$0.97

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

NVMFS5C677NLT1G
onsemi
1: $1.38
1,381En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C677NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C677NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFWS020N06CT1G
onsemi
1: $2.08
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NVMFWS020N06CT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel

NVMYS014N06CLTWG
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3,000Se espera el 26/06/2026

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NVMYS014N06CLTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel

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3,000Se espera el 26/06/2026

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel

NVMYS021N06CLTWG
onsemi
1: $1.08
2,938En existencias
3,000Se espera el 26/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS021N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS021N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel

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2,938En existencias

3,000Se espera el 26/05/2026

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Envase tipo carrete

$0.329

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel

NVMYS025N06CLTWG
onsemi
1: $1.33
862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS025N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS025N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel

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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

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