Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 40V 120A, Power MOSFET for Automotive

AG040FGS4FRATCB
ROHM Semiconductor
1: $3.58
4,839En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
AG040FGS4FRATCB

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755-AG040FGS4FRATCB

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Cinta cortada

$3.58

$2.34

$1.64

$1.43

$1.37

Envase tipo carrete

$1.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HPLF-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.4 mOhms

20 V

2.5 V

72.6 nC

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Pch -40V -120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive

AG540EGS4FRATCB
ROHM Semiconductor
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476En existencias
3,000Se espera el 19/08/2026
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3,000Se espera el 19/08/2026

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$3.43

$2.24

$1.56

$1.35

$1.29

Envase tipo carrete

$1.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HPLF-5

P-Channel

1 Channel

40 V

120 A

4.6 mOhms

- 20 V, 5 V

2.5 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 89A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems.

AG047FLS4FRATCB
ROHM Semiconductor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 89A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems.

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$0.957

$0.798

$0.767

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Envase tipo carrete

$0.729

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

HPLF-5

N-Channel

1 Channel

60 V

89 A

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20 V

2.5 V

15.2 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 60V 36A, Power MOSFET for Automotive

AG048FLS4FRATCB
ROHM Semiconductor
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164En existencias
6,000Se espera el 24/09/2026
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755-AG048FLS4FRATCB

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Cinta cortada

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$1.27

$0.854

$0.678

$0.624

Envase tipo carrete

$0.593

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HPLF-5

N-Channel

1 Channel

60 V

36 A

26 mOhms

20 V

2.5 V

6.8 nC

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems

AG140FGS4FRATCB
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AG140FGS4FRATCB

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755-AG140FGS4FRATCB

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems

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$1.72

$1.46

$1.41

$1.37

Envase tipo carrete

$1.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HPLF-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.4 mOhms

20 V

4 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems

AG142FGS4FRATCB
ROHM Semiconductor
1: $1.46
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AG142FGS4FRATCB

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755-AG142FGS4FRATCB

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems

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$0.968

$0.807

$0.775

$0.749

Envase tipo carrete

$0.738

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HPLF-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

4.5 mOhms

20 V

4 V

19.1 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -67A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive : AG542EGS4FRA is an automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems.

AG542EGS4FRATCB
ROHM Semiconductor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -28A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive : AG543EGS4FRA is an automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems.