Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (RDS(ON), ultra-low gate charge (Qg), and low (Qg) x RDS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Qg and Qoss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS
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1,298En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 185 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI
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2,337En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 89 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET
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4,772En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 80 V 203 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 85 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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1,337En existencias
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Si SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
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3,828En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 123 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 46 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
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3,688En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-12 N-Channel 2 Channel 40 V 60 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
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1,731En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-12 N-Channel 2 Channel 60 V 38 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13.5 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V DFN POWER CLIP 3 X 3
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7,022En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 43.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V DFN POWER CLIP 3X3
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5,910En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 84 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 108A 8.66m?Ohm Single N-Channel
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4,650En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
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4,130En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 68 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
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5,946En existencias
1,500Se espera el 2/03/2026
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL
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1,363En existencias
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Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 80 V 351 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 166 nC - 55 C + 175 C 311 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET
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2,606En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.8MOHM T8 SINGLE S08FL
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979En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL NFET
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888En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 224 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 112 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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1,083En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 135 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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4,898En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 110 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SG SO-8FL-U
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2,680En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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5,051En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 42 A 13.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
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1,400En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 32 A 20.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8.9 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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4,463En existencias
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Si SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 337A 1.1mOhms
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3,401En existencias
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Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 80 V 337 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 147 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
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2,996En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
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3,897En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 68 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel