STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.

Resultados: 47
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac 3,875En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET 889En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i 6,052En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 29 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ., 140 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5 3,443En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 60 V 145 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 4.2 mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a 1,177En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 117 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 2.5mOhm 180A STripFET VII 1,119En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 2.7 mOhm 180A STripFET VII 995En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET 163En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 80 V 90 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack 225En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 117 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac 59En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i 97En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 80 V 180 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 193 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i 5En existencias
1,000Se espera el 25/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 180 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 193 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET 254En existencias
1,000Se espera el 10/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII 728En existencias
3,339Se espera el 13/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 100 V 21 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 175 C 5 W STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII 2,736En existencias
3,000Se espera el 17/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 100 V 8 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 14 nC - 55 C + 175 C 4.8 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 1,555En existencias
6,000Se espera el 6/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6 N-Channel 1 Channel 100 V 4 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150 169En existencias
1,000Se espera el 6/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 56 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A 219En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 90 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V 0 013 Ohm typ 45 A 2,021En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 45 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 25 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII Plazo de entrega 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 80 V 180 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 193 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 1.9 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 79.5 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET Plazo de entrega 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Tube