L-TOGL & S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N-Ch MOSFETs

Toshiba L-TOGL and S-TOGL AEC-Q101 40V/80V/100V N-Channel MOSFETs deliver ultra-low on-resistance, a high drain current rating, and high heat dissipation. This is achieved by combining high heat dissipation packages [L-TOGL (large transistor outline gull-wing leads) and S-TOGL (small transistor outline gull-wing leads)] with the U-MOS IX-H and U-MOS X-H chip processes. Toshiba L-TOGL and S-TOGL MOSFETs also offer high current capability and high heat dissipation to help improve power density in a wide variety of automotive applications. The L-TOGL package is equivalent in size to the existing TO-220SM(W) package. However, XPQR3004PB greatly improves the current rating and significantly lowers the on-resistance to 0.23mΩ typical. L-TOGLs optimized package footprint also helps improve thermal characteristics when compared to the same-sized TO-220SM(W) package.

Resultados: 6
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) L-TOGL N-CH 80V 350A 4,446En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT 2-10AG1A N-Channel 1 Channel 80 V 350 A 830 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 305 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) S-TOGL N-CH 40V 160A 2,440En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL 3,360En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 530 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 128 nC + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) L-TOGL N-CH 40V 400A 1,265En existencias
16,500Se espera el 20/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT L-TOGL-9 N-Channel 1 Channel 40 V 400 A 470 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 295 nC + 175 C 750 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LTOGL 100V 300A
2,270Se espera el 20/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT 2-10AG1A N-Channel 1 Channel 100 V 300 A 1.03 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 269 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba XPQ1R004PB,LXHQ
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V UMOS9 L-TOGL 1mohm Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
Carrete: 1,500

Reel