Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

NVMJS3D0N06CTWG

Name: onsemi NVMJS3D0N06CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMJS3D0N06CTWG
Price: 1.63 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-NVMJS3D0N06CTWG

Fabricante N.º:

NVMJS3D0N06CTWG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SL LFPAK8 5X6

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

NVMJS3D0N06CTWG Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi NVMJS3D0N06CTWG

En existencias: 2,725

Existencias:: 2,725 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 19 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$1.63	$1.63
	$1.09	$10.90
	$0.909	$90.90
	$0.874	$437.00
	$0.846	$846.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.835	$2,505.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	139.3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	34 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	112.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	7 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6 ns
Serie:	NVMJS3D0N06C
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	27 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	16 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NVMJS3D0N06CTWG Hoja de datos

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMJS3D0N06C Automotive Power MOSFET

onsemi NVMJS3D0N06C Automotive Power MOSFET delivers high performance in a 5mm x 6mm LFPAK package. The AEC-Q101-qualified and PPAP-capable NVMJS3D0N06C is ideal for compact and efficient designs in automotive applications requiring enhanced board-level reliability.