DI020N06D1 N-Channel Power MOSFETs

Diotec Semiconductor DI020N06D1 N-Channel Power MOSFETs offer a low on-state resistance, a low gate charge (25.3nC), and fast switching times with an Avalanche rating. With a wide -55°C to +175°C operating temperature range, these components offer a 60V drain-source breakdown voltage, 20A continuous drain current, and a 24mΩ on drain-source resistance. The TO-252AA packaged DI006H03SQ MOSFETs are for DC/DC converters, power supplies, DC drives, synchronous rectifiers, and commercial/industrial-grade applications.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, DPAK, 60V, 20A, 150C, N, AEC-Q101 1,799En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 19 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, DPAK, 60V, 20A, 175C, N 942En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT TO-252AA-4 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 25.3 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement DI020N06D1 Reel, Cut Tape, MouseReel