Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 7 Optimized 40V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Optimized 40V N-Channel Power MOSFETs are optimized motor drivers that offer tailored solutions for efficient power conversion in drives, power, and gardening tools. The Infineon 40V portfolio offers additional voltage nodes and low on-state resistance [RDS(on)] with standard package options, including PG-TDSON (PQFN 5mm x 6mm), PG-TSDSON (PQFN 3.3mm x 3.3mm), and PG-WSON-8 (PQFN 5mm x 6mm dual-side cooled). Target applications include motor control, battery management systems (BMS), cordless vacuum cleaners, gardening tools, and power tools.

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Id - Corriente de drenaje continua

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Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.

ISCH57N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
1: $3.84
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4,000Se espera el 24/09/2026
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ISCH57N04NM7VSCATMA1

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WSON-8

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1 Channel

40 V

443 A

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112 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

ISCH75N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
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WSON-8

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1 Channel

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339 A

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3.2 V

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+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

ISCH92N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
1: $2.96
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WSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

289 A

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3.2 V

65 nC

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+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISC011N04NM7VATMA1
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TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

256 A

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20 V

3.15 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISCH54N04NM7VATMA1
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TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

458 A

500 uOhms

20 V

3.15 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISCH69N04NM7VATMA1
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TDSON-8

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40 V

357 A

650 uOhms

20 V

3.15 V

85 nC

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+ 175 C

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Reel, Cut Tape

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ISCH99N04NM7VATMA1
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726-ISCH99N04NM7VATM

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TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

284 A

900 uOhms

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3.15 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISZ015N04NM7VATMA1
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TSDSON-8

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1 Channel

40 V

177 A

1.4 mOhms

20 V

3.15 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISC016N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
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TDSON-8

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174 A

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- 55 C

+ 175 C

94 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISC012N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
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ISC012N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC012N04NM7VATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

219 A

1.15 mOhms

20 V

3.15 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

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