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NTB004N10G

Name: onsemi NTB004N10G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTB004N10G
Price: 6.54 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTB004N10G

Fabricante N.º:

NTB004N10G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV5 SOAFET 4.2MOHM 100V N-FET D2PAK

Hoja de datos:

NTB004N10G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$6.54	$6.54
	$4.66	$46.60
	$4.04	$404.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	$3.95	$3,160.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	201 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	175 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	340 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NTB004N10G
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	4 g

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Hoja de datos

NTB004N10G Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTB004N10G N-Channel Power MOSFET

onsemi NTB004N10G N-Channel Power MOSFET is avalanche energy specified, 201A (I_D), 100V (V_DSS) N-channel enhancement-mode MOSFET in a D²PAK package. This MOSFET offers low 4.2mΩ @10V R_DS(on), provides rugged technology for the utmost reliability, and is hot-swap tolerant with a superior safe operating area (SOA) curve than standard MOSFETs. onsemi NTB004N10G MOSFET is designed for wide SOA applications from a 48V bus, including telecom, hot-swap, and server equipment. Other typical applications also include converters and power supplies.