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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 62 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 40 C + 150 C 169 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 40 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 130mOhm
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 40 C + 150 C 102 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 173 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Reel