Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters

PANJIT Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters provide an advanced solution for the wireless chargers to work properly and efficiently. These wireless charging transmitters are designed to transfer the electromagnetic field to the battery receiver of its application. The power MOSFETs are assembled in a low-profile package that saves space while delivering similar on-resistance and thermal resistance. These devices feature low switching losses, high switching frequency operation, low operating temperature, and low gate drive losses. The power MOSFETs are ideally used in wireless charging pads, wireless charging sockets, wireless charging cases, and wireless charging stations.

Resultados: 130
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected 158En existencias
6,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 6.5 A 22 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 8.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 4,761En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 5.8 A 27 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected 6,758En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2 A 150 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected 22,254En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 1.6 A 570 mOhms - 8 V, 8 V 1.3 V 1.5 nC - 50 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 38,836En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 1.1 A 970 mOhms - 8 V, 8 V 1.3 V 1.6 nC - 50 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 38,948En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 1.1 A 370 mOhms - 8 V, 8 V 1.3 V 1.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,897En existencias
3,000Se espera el 11/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 750 mA 400 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 5,599En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.2 A 380 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 900 pC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 11,976En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 40 V 3.1 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 1,723En existencias
6,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 40 V 2.2 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 7.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si 30 V 10 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.1 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 4,580En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si 30 V 25 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4.3 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 4,888En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si 60 V 4.2 A 68 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 4,991En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si 60 V 16 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,980En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si 60 V 16 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si 20 V 4.4 A 82 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 7 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si 20 V 6.5 A 35 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 18.9 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
54,000Se espera el 18/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 1.6 A 200 mOhms - 8 V, 8 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET, -30 V, -3.6 A
9,000Se espera el 10/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 115 mOhms 20 V 1.3 V 15 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
3,000Se espera el 8/05/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.6 A 29.81 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
15,000Se espera el 18/05/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.5 A 88 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 10 nC - 50 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
15,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 4.3 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
12,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 40 V 2.2 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 7.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
10,000Se espera el 6/05/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT DFN-1006-3 N-Channel 1 Channel 30 V 300 mA 1.2 Ohms - 10 V, 10 V 1 V 900 pC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12,000
Mult.: 12,000
: 12,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4.9 A 38 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 5.7 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel