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NTTFS007P02P8

Name: onsemi NTTFS007P02P8
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS007P02P8
Price: 1.17 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTTFS007P02P8

Fabricante N.º:

NTTFS007P02P8

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, Single, P-Channel, -20V, 6.5mohm, -56A, PQFN8 3x3 P-Channel, -20V, 6.5m ohms, PQFN8 3x3

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.532	$1,596.00
	$0.50	$3,000.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PQFN-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	56 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	6.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	44 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	30 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	68 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	80 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	33 ns
Serie:	NTTFS007P02P8
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	119 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	19 ns

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Hoja de datos

NTTFS007P02P8 Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTTFS007P02P8 P-Channel Low/Medium Voltage MOSFET

onsemi NTTFS007P02P8 P-Channel Low/Medium Voltage MOSFET is built using high-performance PowerTrench technology for extremely low R_DS(on)switching performance and ruggedness. This P-channel MOSFET offers high power and current-handling capabilities in a widely used surface-mount package. The NTTFS007P02P8 MOSFET features -20V drain to source voltage, ±8V gate to source voltage, 3.8°C/W thermal resistance, junction to case, and 4.5Ω gate resistance. This P-channel MOSFET is Pb-free, Halide-free, and RoHS compliant. Typical applications include load switch, battery management, power management, and reverse polarity protection.