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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance
- IQE020N04LM6CGATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.67
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3,936En existencias
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Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
726-IQE020N04LM6CGAT
Nuevo producto
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Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance
|
|
3,936En existencias
|
|
|
$2.67
|
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$1.31
|
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$1.18
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$0.942
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Ver
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$0.824
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$0.922
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$0.894
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$0.824
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Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
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|
|
Si
|
SMD/SMT
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TTFN-9
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N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
166 A
|
2.05 mOhms
|
20 V
|
2.3 V
|
25 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
107 W
|
Enhancement
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OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance
- IQE020N04LM6CGSCATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.92
-
4,712En existencias
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Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
726-IQE020N04LM6CGSC
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance
|
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4,712En existencias
|
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|
$2.92
|
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$1.45
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$1.30
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$1.05
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Ver
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$0.809
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$0.987
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$0.953
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$0.809
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Min.: 1
Mult.: 1
:
6,000
|
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|
Si
|
SMD/SMT
|
WTFN-9
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
166 A
|
2.05 mOhms
|
20 V
|
2.3 V
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25 nC
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- 55 C
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+ 175 C
|
107 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
- BSC022N04LS6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.55
-
113,985En existencias
-
95,000Se espera el 25/02/2027
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC022N04LS6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
|
|
113,985En existencias
95,000Se espera el 25/02/2027
|
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|
$1.55
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$0.729
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$0.649
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$0.508
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$0.462
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$0.388
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 7,000
:
5,000
|
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Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-FL-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
100 A
|
2.2 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
1.3 V
|
28 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
79 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
- BSC010N04LS6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.41
-
5,764En existencias
-
30,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC010N04LS6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
|
|
5,764En existencias
30,000En pedido
Existencias:
5,764 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
10,000 Se espera el 18/03/2027
20,000 Se espera el 13/05/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$2.41
|
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$1.18
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$1.06
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$0.839
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Ver
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$0.717
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$0.798
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$0.746
|
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$0.717
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-FL-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
100 A
|
1 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
1.3 V
|
67 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
150 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
- BSC059N04LS6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.01
-
17,812En existencias
-
50,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC059N04LS6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
|
|
17,812En existencias
50,000En pedido
Existencias:
17,812 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
20,000 Se espera el 24/09/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$1.01
|
|
|
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|
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|
$0.412
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$0.317
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$0.229
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Ver
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$0.305
|
|
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$0.273
|
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$0.206
|
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$0.192
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-FL-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
59 A
|
5.9 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
1.3 V
|
9.4 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
38 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
- BSZ018N04LS6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.79
-
7,858En existencias
-
30,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ018N04LS6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
|
|
7,858En existencias
30,000En pedido
Existencias:
7,858 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
10,000 Se espera el 9/09/2026
20,000 Se espera el 5/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$1.79
|
|
|
$1.14
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.80
|
|
|
$0.655
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-FL-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
40 A
|
2.1 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.3 V
|
31 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
83 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
- BSZ021N04LS6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.04
-
1,963En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ021N04LS6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
|
|
1,963En existencias
|
|
|
$2.04
|
|
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$0.981
|
|
|
$0.878
|
|
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$0.696
|
|
|
Ver
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|
|
$0.571
|
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|
$0.679
|
|
|
$0.626
|
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$0.571
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-FL-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
40 A
|
2.4 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.3 V
|
31 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
83 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
- BSZ024N04LS6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.82
-
1,027En existencias
-
36,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ024N04LS6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
|
|
1,027En existencias
36,000En pedido
Existencias:
1,027 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
5,000 Se espera el 4/09/2026
1,000 Se espera el 28/09/2026
15,000 Se espera el 1/04/2027
15,000 Se espera el 31/08/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$1.82
|
|
|
$0.935
|
|
|
$0.836
|
|
|
$0.661
|
|
|
$0.53
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-FL-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
40 A
|
2.8 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.3 V
|
25 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
75 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
- BSC007N04LS6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.33
-
39,863En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC007N04LS6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
|
|
39,863En pedido
En pedido:
14,863 Se espera el 4/03/2027
25,000 Se espera el 22/04/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$3.33
|
|
|
$2.00
|
|
|
$1.55
|
|
|
$1.30
|
|
|
$1.21
|
|
|
$1.10
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-FL-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
381 A
|
700 uOhms
|
- 20 V, 20 V
|
1.3 V
|
94 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
188 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
- BSZ063N04LS6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.24
-
168,348En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ063N04LS6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
|
|
168,348En pedido
En pedido:
48,348 Se espera el 1/10/2026
30,000 Se espera el 28/10/2026
90,000 Se espera el 13/05/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$1.24
|
|
|
$0.668
|
|
|
$0.511
|
|
|
$0.416
|
|
|
$0.396
|
|
|
$0.295
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-FL-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
40 A
|
7 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.3 V
|
9.5 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
38 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|