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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2
- IPB107N20NAXT
- Infineon Technologies
-
1:
$10.58
-
3,837En existencias
-
NRND
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB107N20NAATMA1
NRND
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2
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3,837En existencias
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$10.58
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$7.48
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$6.23
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$5.55
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$5.21
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
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Si
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SMD/SMT
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D2PAK-3 (TO-263-3)
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N-Channel
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1 Channel
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200 V
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88 A
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9.6 mOhms
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- 20 V, 20 V
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2 V
|
87 nC
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- 55 C
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+ 175 C
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300 W
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Enhancement
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OptiMOS
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Reel, Cut Tape, MouseReel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
- IPB320N20N3 G
- Infineon Technologies
-
1:
$3.92
-
2,916En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB320N20N3GXT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
|
|
2,916En existencias
|
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|
$3.92
|
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$2.56
|
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$1.87
|
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$1.62
|
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$1.37
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$1.35
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
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Si
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SMD/SMT
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D2PAK-3 (TO-263-3)
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N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
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34 A
|
28 mOhms
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- 20 V, 20 V
|
2 V
|
29 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
136 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
- IPB107N20N3 G
- Infineon Technologies
-
1:
$7.13
-
3,753En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB107N20N3GXT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
|
|
3,753En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
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|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
88 A
|
9.6 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2 V
|
87 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
300 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
- IPP110N20N3 G
- Infineon Technologies
-
1:
$5.78
-
109En existencias
-
1,500En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP110N20N3G
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
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109En existencias
1,500En pedido
Existencias:
109 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1,000 Se espera el 7/12/2026
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas
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$5.78
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$3.79
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$2.82
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$2.36
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|
Ver
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$2.19
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$2.05
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Min.: 1
Mult.: 1
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|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
88 A
|
9.9 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2 V
|
87 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
300 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Tube
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