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NTMFD0D9N02P1E

Name: onsemi NTMFD0D9N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFD0D9N02P1E
Price: 4.04 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMFD0D9N02P1E

Fabricante N.º:

NTMFD0D9N02P1E

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

NTMFD0D9N02P1E Hoja de datos

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	$4.04	$4.04
	$2.66	$26.60
	$1.87	$187.00
	$1.69	$845.00
	$1.60	$1,600.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$1.58	$4,740.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PDFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	25 V, 30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	77 A, 180 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	720 uOhms, 3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	19 nC, 67 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	29.2 W, 37.4 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	PH
País de difusión:	TW
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	3 ns, 10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	147 S, 311 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2 ns, 4 ns
Serie:	NTMFD0D9N02P1E
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	25 ns, 70 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns, 15 ns

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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET is a dual N-channel MOSFET designed with low R_g for fast switching applications. This MOSFET consists of an asymmetric POWERTRENCH^® power clip. The NTMFD0D9N02P1E MOSFET features low R_DS(on) to minimise conduction losses and low QG, and capacitance to minimise driver losses. This MOSFET is available in a small footprint of 5mm x 6mm compact design. The NTMFD0D9N02P1E MOSFET is Pb and halogen/BFR-free and is RoHS-compliant. Typical applications include DC−DC converters, system voltage rails, and general-purpose point-of-load.