Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK^® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low R_DS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK^® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

SIZ348DT-T1-GE3
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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7148DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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TrenchFET

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SIRS700DP-T1-GE3
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Vishay Semiconductors

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 30V 6.4A

SI3483DDV-T1-BE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC70 P-CH 30V 10.6A

SIA483ADJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SIJA72ADP-T1-GE3
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Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V PowerPAK 8x8L

SIJH440E-T1-GE3
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SIR104ADP-T1-RE3
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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 20V 100A

SIR178DP-T1-RE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR606DP-T1-GE3
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TrenchFET, PowerPAK

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SISA10DN-T1-GE3
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Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

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SISH106DN-T1-GE3
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TrenchFET, PowerPAK

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SI5448DU-T1-GE3
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TrenchFET

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SI7850ADP-T1-GE3
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PowerPAK-SO-8

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1 Channel

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Enhancement

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SIJA58ADP-T1-GE3
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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

32.3 A

2.65 mOhms

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56.8 W

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SIJA74DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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PowerPAK SO-8

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40 V

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PowerPAK-SO-8

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50 A

1.65 mOhms

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- 55 C

+ 150 C

71.4 W

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SIRA04DP-T1-GE3
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40 A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA14DP-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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16 A

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- 20 V, 20 V

2 V

13.5 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

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40 A

1.8 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

77 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

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38.3 A

6 mOhms

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1.2 V

21.5 nC

- 55 C

+ 150 C

19.8 W

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40 nC

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+ 150 C

52 W

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30 V

172.6 A

1.38 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

77 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

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TrenchFET® Gen IV MOSFETs

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Soporte

ChipFET-8
D2PAK-3 (TO-263-3)
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PowerPAK 10 x 12
PowerPAK1212-8
PowerPAK 1212-8
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PowerPAK 1212-8PT
PowerPAK-1212-8PT
PowerPAK-1212-8S
PowerPAK-1212-8S-8

500 mA
1 A
1.02 A
2.6 A
2.9 A
3.7 A
4.5 A
5.7 A
6 A
6.1 A
7.1 A
7.5 A
8 A
8.3 A
8.9 A
10 A
11.3 A
12 A
12.3 A
14 A

310 uOhms
580 uOhms
620 uOhms
650 uOhms
740 uOhms
780 uOhms
800 uOhms
820 uOhms
830 uOhms
880 uOhms
900 uOhms
920 uOhms
940 uOhms
960 uOhms
1 mOhms
1.04 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.22 mOhms

350 mV
400 mV
500 mV
600 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.1 V, 1 V
1.15 V
1.2 V
1.2 V, 1.1 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
2 V
2.1 V
2.2 V

600 pC
710 pC
750 pC
2 nC
2.4 nC
3.8 nC
4.5 nC
4.7 nC
5 nC
5.3 nC
6 nC
6.2 nC
6.6 nC, 10 nC
6.7 nC
7.1 nC
9.2 nC
9.5 nC
10 nC
10.1 nC
10.4 nC

240 mW
900 mW
1.25 W
1.6 W
1.8 W
2.8 W
3 W
3.6 W
3.7 W
3.8 W
4 W
4.5 W
4.8 W
5 W
5.2 W
5.6 W
7 W
7.5 W
7.8 W
10.4 W