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SIA469DJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA469DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIA469DJ-T1-GE3
Price: 0.71 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIA469DJ-T1-GE3

Fabricante N.º:

SIA469DJ-T1-GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

Hoja de datos:

SIA469DJ-T1-GE3 Hoja de datos

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.71	$0.71
	$0.441	$4.41
	$0.283	$28.30
	$0.215	$107.50
	$0.193	$193.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.164	$492.00
	$0.15	$900.00
	$0.132	$1,188.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SC-70-6
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	12 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	21 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	32 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	15.6 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET, PowerPAK
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	15 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	15 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	17 ns
Serie:	SIA
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	30 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns
Peso de la unidad:	45.597 mg

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Hoja de datos

SIA469DJ-T1-GE3 Hoja de datos

Models

PCN

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III P-Channel Power MOSFETs feature low on-resistance, low-voltage drops, increased efficiency, and battery time. These power MOSFETs are available in a variety of package sizes, including micro-foot, PowerPAK®, and TSOP-6. Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III P-Channel Power MOSFETs offer on-resistance ratings that accommodate a wide range of applications. Typical applications include load switches, adapter switches, battery switches, DC motors, and charger switches.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

SiA469DJ 30V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET

Vishay / Siliconix SiA469DJ 30V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET provides low on-resistance in a single-configuration PowerPAK® SC-70 package size. The SiA469DJ MOSFET operates in a -55°C to +150°C temperature range. Vishay / Siliconix SiA469DJ 30V P-Channel TrenchFET Gen III MOSFET is RoHS compliant and halogen free. Typical applications include load switches, DC/DC converters, high-speed switching, and power management in battery-operated, mobile, and wearable devices.