Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 8A N-CH X2CLASS

IXTY8N65X2
IXYS
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IXTY8N65X2

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IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 8A N-CH X2CLASS

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SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

IXTY8N70X2
IXYS
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IXTY8N70X2

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IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

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$1.76

$1.61

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SMD/SMT

TO-252-3

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1 Channel

700 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 55V 90A

IXTY90N055T2
IXYS
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TO-252-3

N-Channel

1 Channel

55 V

90 A

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- 20 V, 20 V

2 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFA20N85XHV
IXYS
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IXFA20N85XHV

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

850 V

20 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 150V 0.013 Rds

IXFH150N15P
IXYS
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IXFH150N15P

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$7.69

$7.31

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

150 V

150 A

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- 20 V, 20 V

5 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

714 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A

IXFH50N30Q3
IXYS
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IXFH50N30Q3

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IXYS

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$11.49

$9.94

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

50 A

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- 30 V, 30 V

3.5 V

65 nC

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+ 150 C

690 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1KV 7A N-CH POLAR

IXFH7N100P
IXYS
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IXFH7N100P

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IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1KV 7A N-CH POLAR

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$10.42

$8.73

$5.82

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

7 A

1.9 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFH94N30P3
IXYS
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IXFH94N30P3

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$8.65

$7.43

$7.25

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

94 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170A 200V

IXFK170N20T
IXYS
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IXFK170N20T

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$12.90

$11.16

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TO-264-3

N-Channel

1 Channel

200 V

170 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

265 nC

- 55 C

+ 175 C

1.15 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180A 250V

IXFK180N25T
IXYS
1: $18.62
52En existencias

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IXFK180N25T

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747-IXFK180N25T

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$18.62

$12.95

$11.63

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Mult.: 1

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TO-264-3

N-Channel

1 Channel

250 V

180 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

345 nC

- 55 C

+ 150 C

1.39 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 200V 220A N-CH X3CLASS

IXFK220N20X3
IXYS
1: $19.24
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IXFK220N20X3

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747-IXFK220N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 200V 220A N-CH X3CLASS

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9En existencias

$19.24

$13.66

$12.66

$12.65

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Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

200 V

220 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

204 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/14A UlJun XCl

IXFP14N85XM
IXYS
1: $7.28
19En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP14N85XM

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP14N85XM

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/14A UlJun XCl

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19En existencias

$7.28

$3.99

$3.78

$3.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

850 V

14 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 56A N-CH X3CLASS

IXFP56N30X3M
IXYS
1: $9.12
41En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP56N30X3M

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP56N30X3M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 56A N-CH X3CLASS

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41En existencias

$9.12

$5.32

$4.90

$4.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

300 V

56 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 800V 1.44 Rds

IXFP7N80P
IXYS
1: $5.69
89En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP7N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP7N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 800V 1.44 Rds

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89En existencias

$5.69

$3.05

$2.81

$2.45

$2.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

1.44 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

200 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 90A N-CH X3CLASS

IXFP90N20X3M
IXYS
1: $10.56
35En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP90N20X3M

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP90N20X3M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 90A N-CH X3CLASS

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35En existencias

$10.56

$6.91

$5.31

$4.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

90 A

12.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

78 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/10A

IXFR15N100Q3
IXYS
1: $22.47
4En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFR15N100Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFR15N100Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/10A

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4En existencias

$22.47

$14.55

$13.75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

10 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

3.5 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

400 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A

IXTP260N055T2
IXYS
1: $6.81
21En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP260N055T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP260N055T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A

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21En existencias

$6.81

$3.83

$3.58

$3.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

55 V

260 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE

IXFT170N25X3HV
IXYS
1: $21.94
1,750Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFT170N25X3HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT170N25X3HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE

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Hoja de datos

1,750Se espera el 24/08/2026

$21.94

$15.96

$13.92

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

170 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

190 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET

IXFT320N10T2
IXYS
1: $21.18
2,088Se espera el 25/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFT320N10T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT320N10T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET

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Hoja de datos

2,088Se espera el 25/03/2026

$21.18

$13.38

$12.15

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

320 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

430 nC

- 55 C

+ 175 C

1 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 300V 72A N-CH X3CLASS

IXFA72N30X3
IXYS
1: $10.66
2,120Se espera el 1/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFA72N30X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA72N30X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 300V 72A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

2,120Se espera el 1/05/2026

$10.66

$6.43

$5.92

$5.31

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

300 V

72 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds

IXFB100N50P
IXYS
1: $31.10
617Se espera el 24/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFB100N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB100N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds

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Hoja de datos

617Se espera el 24/04/2026

$31.10

$23.85

$20.74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PLUS-264-3

N-Channel

1 Channel

500 V

100 A

49 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

240 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFB110N60P3
IXYS
1: $25.53
292Se espera el 9/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFB110N60P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB110N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET

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Hoja de datos

292Se espera el 9/11/2026

$25.53

$16.71

$15.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PLUS-264-3

N-Channel

1 Channel

600 V

110 A

56 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

245 nC

- 55 C

+ 150 C

1.89 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds

IXFH110N10P
IXYS
1: $8.87
2,948Se espera el 10/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH110N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH110N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds

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Hoja de datos

2,948Se espera el 10/04/2026

$8.87

$5.36

$4.47

$4.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 26A

IXFH26N60P
IXYS
1: $10.10
600Se espera el 30/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH26N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH26N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 26A

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Hoja de datos

600Se espera el 30/06/2026

$10.10

$5.83

$5.10

$4.69

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

270 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 42A 0.185Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFH42N60P3
IXYS
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300Se espera el 19/03/2026

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IXFH42N60P3

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747-IXFH42N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 42A 0.185Ohm PolarP3 Power MOSFET

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

42 A

185 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

78 nC

- 55 C

+ 150 C

830 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

HiPerFET™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
D3PAK-3 (TO-268-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
ISOPLUS-i4-PAK-5
ISOPLUS-i5-PAK-5
PLUS-264-3
SMPD-24
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3
TO-247-4
TO-247-PLUS-3
TO-251-3
TO-252-3
TO-263-3
TO-263-7
TO-263AA-3
TO-264-3
TO-268-3
TO-3P

36 V
40 V
55 V
60 V
65 V
70 V
75 V
85 V
100 V
105 V
120 V
135 V
150 V
170 V
175 V
200 V
250 V
300 V
500 V
600 V

2 A
2.1 A
2.3 A
3 A
3.5 A
4 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
9.5 A
10 A
10.5 A
12 A
13 A
14 A
15 A
16 A
18 A

1 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
4 mOhms
4.1 mOhms

4.3 nC
7 nC
8.3 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
17 nC
17.7 nC
18.5 nC
21 nC
22 nC
25.5 nC
26 nC
27 nC
27.4 nC
29 nC
30 nC
32 nC
33 nC
33.4 nC

1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
30 W
32 W
33 W
34 W
36 W
37 W
40 W
42 W
43 W
50 W
55 W
58 W