HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Resultados: 720
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFETs Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 150 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 177 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-247AD
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 150 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160 Amps 150V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 160 A 9.6 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 160 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 54 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A TO-247
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V/220A TrenchT3
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 136 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230 Amps 75V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 175 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 26A TO-247 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 113 nC - 55 C + 150 C 860 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 155 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 850V 30A N-CH XCLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 30 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 40A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 40 A 140 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 46A N-CH TRENCH
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

Si AEC-Q101 HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 116 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/60A TO-247-4L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A
Hoja de datos
Plazo de entrega 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 70 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 31 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 70 A 54 mOhms - 30 V, 30 V 98 nC 830 W HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 150V 76A N-CH TRENCH
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 97 nC - 55 C + 150 C 350 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFETs Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 300 V 94 A 36 mOhms HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 150V 0.024 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 96 A 24 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 850V 9.5A N-CH XCLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 9.5 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement HiPerFET Tube