HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Resultados: 720
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 1200V 1 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 49 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 570 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 193 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 220Amps 150V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 220 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 162 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 800V 0.4 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 24 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 105 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1000V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 20 A 390 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27 Amps 800V 0.32 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 27 A 320 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 170 V 320 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 640 nC - 55 C + 175 C 1.67 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 800V 0.27 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 32 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 150 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 32 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC + 150 C 1 kW HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 36A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 102 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-264(3)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 400 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 365 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 900 V 40 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 230 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/44A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 44 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 185 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 48A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 135 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/48A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC 1 kW HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52A 1000V POWER MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 52 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 245 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/64A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 190 nC 1.25 kW HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 850 V 66 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 230 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 35 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 80 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/80A Ultra Junction X2-Class
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 140 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-264(3)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 90 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 210 nC - 55 C + 150 C 1.1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 108 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 268 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 1200V 0.35 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 A 380 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 357 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1200V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 340 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 520 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 38 Amps 1000V 0.21 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 29 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 350 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 1100V 0.2800 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1.1 kV 21 A 280 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 357 W Enhancement HiPerFET Tube