HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnct XClass TO-220AB/FP
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 50
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 175 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V/270A TrenchT3
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 270 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 200 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 250V 30A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 30 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnct XClass TO-220AB/FP
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 50
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 155 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 36A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 36 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 36A N-CH POLAR
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 36 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 347 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 250V 44A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 44 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4 Amps 1000V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 4 A 3.3 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 26 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 850V 4A N-CH XCLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 3.5 A 2.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 7 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/3.5A UlJun XCl HiPerFET Pwr MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 3.5 A 2.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 7 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 1KV 5A N-CH POLAR
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 2.3 A 2.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4 Amps 800V 1.44 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/8A TO-220
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 850V 8A N-CH XCLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 175 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 50 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 155 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 500 V 34 A 180 mOhms HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 50 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 85 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 31 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 94 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 116 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 250 V 60 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube