IPTG014N10NM5ATMA1
Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto
Ver especificaciones del producto
726-IPTG014N10NM5ATM
IPTG014N10NM5ATMA1
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos:
En existencias: 6,777
-
Existencias:
-
6,777 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
14 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $5.16 | $5.16 | |
| $3.74 | $37.40 | |
| $2.69 | $269.00 | |
| $2.62 | $1,310.00 | |
| $2.14 | $2,140.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1800) | ||
| $2.13 | $3,834.00 | |
Hoja de datos
Product Catalogs
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
