IRF9358TRPBF

942-IRF9358TRPBF
IRF9358TRPBF

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -9.2A 16.3mOhm -4.5V capb

Ciclo de vida:
Obsoleto
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricciones de envío:
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RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-Channel
2 Channel
30 V
9.2 A
13 mOhms
- 20 V, 20 V
2.4 V
19 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Dual
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 4000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 2 P-Channel
Peso de la unidad: 540 mg
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

30V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 30V HEXFET® Power MOSFETs are designed for high density applications requiring small size, high efficiency and improved thermal conduction, making them ideally suited for notebook applications and point-of-load (POL) converters used in servers, as well as advanced telecom and datacom systems. These 30V HEXFET Power MOSFETs offer significant gate oxide improvement over previous generations and provide high performance as part of a system-wide solution to optimize 12VIN / 1V to 3VOUT DC-DC synchronous buck converter applications.